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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N8035-GA
1N8035-GA
1N8035-GA
Modello di prodotti:
1N8035-GA
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
63194 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1N8035-GA.pdf
Inchiesta

introduzione

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BOSER Technology è il distributore di 1N8035-GA, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per 1N8035-GA via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.5V @ 15A
Tensione - inversa (Vr) (max):650V
Contenitore dispositivo fornitore:TO-276
Velocità:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):0ns
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-276AA
Altri nomi:1242-1122
1N8035GA
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-55°C ~ 250°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo:Silicon Carbide Schottky
Descrizione dettagliata:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 14.6A (DC) Surface Mount TO-276
Corrente - Dispersione inversa a Vr:5µA @ 650V
Corrente - raddrizzata media (Io):14.6A (DC)
Capacità a Vr, F:1107pF @ 1V, 1MHz
Numero di parte base:1N8035
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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1N821 Image 1N821 Microsemi DIODE ZENER DO35 Inchiesta
1N821A, SEL. 1% VBR Image 1N821A, SEL. 1% VBR Microsemi DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 Inchiesta
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