1N4448 TR
1N4448 TR
Modelo do Produto:
1N4448 TR
Fabricante:
Central Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
67628 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1N4448 TR.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Pico Reversa (Max):Standard
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:150mA
Tensão - Breakdown:DO-35
Série:-
Status de RoHS:Tape & Reel (TR)
Inversa de tempo de recuperação (trr):Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Resistência @ Se, F:4pF @ 0V, 1MHz
Polarização:DO-204AH, DO-35, Axial
Temperatura de Operação - Junção:4ns
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:1N4448 TR
Descrição expandida:Diode Standard 100V 150mA Through Hole DO-35
configuração de diodo:25nA @ 20V
Descrição:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
Atual - dispersão reversa @ Vr:720mV @ 5mA
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):100V
Capacitância @ Vr, F:-65°C ~ 200°C
Email:[email protected]

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