| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (maks.): | ±30V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-92-3 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 1.2 Ohm @ 1A, 10V |
| Strata mocy (max): | 1W (Tc) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 5 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 190pF @ 20V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 30V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 30V 640mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 640mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
