| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 50V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 250mV @ 5mA, 100mA |
| Typ tranzystora: | NPN - Pre-Biased |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | NS-B1 |
| Seria: | - |
| Rezystor - podstawa nadajnika (R2): | 4.7 kOhms |
| Rezystor - Podstawa (R1): | 4.7 kOhms |
| Moc - Max: | 300mW |
| Opakowania: | Tape & Box (TB) |
| Package / Case: | NS-B1 |
| Inne nazwy: | UNR422200ATB |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 200MHz |
| szczegółowy opis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 50 @ 100mA, 10V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 1µA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
