TSM60NB041PW C1G
TSM60NB041PW C1G
Part Number:
TSM60NB041PW C1G
Producent:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Opis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
64018 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
TSM60NB041PW C1G.pdf

Wprowadzenie

TSM60NB041PW C1G najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem TSM60NB041PW C1G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu TSM60NB041PW C1G pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (maks.):±30V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:TO-247
Seria:-
RDS (Max) @ ID, Vgs:41 mOhm @ 21.7A, 10V
Strata mocy (max):446W (Tc)
Package / Case:TO-247-3
Inne nazwy:TSM60NB041PW C1G-ND
TSM60NB041PWC1G
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta:14 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:6120pF @ 100V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:139nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):10V
Spust do źródła napięcia (Vdss):600V
szczegółowy opis:N-Channel 600V 78A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:78A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze