| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.65V @ 700µA |
| Vgs (maks.): | ±18V |
| Technologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-247 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 41 mOhm @ 32A, 8V |
| Strata mocy (max): | 178W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 2197pF @ 400V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 42nC @ 8V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 8V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 650V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 650V 50A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
