STP30NM60ND
STP30NM60ND
Part Number:
STP30NM60ND
Producent:
STMicroelectronics
Opis:
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
61215 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
STP30NM60ND.pdf

Wprowadzenie

STP30NM60ND najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem STP30NM60ND, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu STP30NM60ND pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (maks.):±25V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:TO-220AB
Seria:FDmesh™ II
RDS (Max) @ ID, Vgs:130 mOhm @ 12.5A, 10V
Strata mocy (max):190W (Tc)
Opakowania:Tube
Package / Case:TO-220-3
Inne nazwy:497-8448-5
temperatura robocza:150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:2800pF @ 50V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:100nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):10V
Spust do źródła napięcia (Vdss):600V
szczegółowy opis:N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze