SSM3J114TU(TE85L)
SSM3J114TU(TE85L)
Part Number:
SSM3J114TU(TE85L)
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Opis:
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
45411 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
1.SSM3J114TU(TE85L).pdf2.SSM3J114TU(TE85L).pdf

Wprowadzenie

SSM3J114TU(TE85L) najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem SSM3J114TU(TE85L), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu SSM3J114TU(TE85L) pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (maks.):±8V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:UFM
Seria:-
RDS (Max) @ ID, Vgs:149 mOhm @ 600mA, 4V
Strata mocy (max):500mW (Ta)
Opakowania:Cut Tape (CT)
Package / Case:3-SMD, Flat Leads
Inne nazwy:SSM3J114TU(TE85L)CT
temperatura robocza:150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:331pF @ 10V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:7.7nC @ 4V
Rodzaj FET:P-Channel
Cecha FET:-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4V
Spust do źródła napięcia (Vdss):20V
szczegółowy opis:P-Channel 20V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:1.8A (Ta)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze