SQ4470EY-T1_GE3
Part Number:
SQ4470EY-T1_GE3
Producent:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Opis:
MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
79595 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
SQ4470EY-T1_GE3.pdf

Wprowadzenie

SQ4470EY-T1_GE3 najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem SQ4470EY-T1_GE3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu SQ4470EY-T1_GE3 pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Vgs (maks.):±20V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:8-SO
Seria:TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs:12 mOhm @ 6A, 10V
Strata mocy (max):7.1W (Tc)
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Inne nazwy:SQ4470EY-T1-GE3
SQ4470EY-T1-GE3-ND
temperatura robocza:-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:3165pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:68nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss):60V
szczegółowy opis:N-Channel 60V 16A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SO
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze