| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SO |
| Seria: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| Moc - Max: | 2W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | SI4966DY-T1-E3-ND SI4966DY-T1-E3TR SI4966DYT1E3 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | - |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 50nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2W Surface Mount 8-SO |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | - |
| Podstawowy numer części: | SI4966 |
| Email: | [email protected] |
