SI4816DY-T1-GE3
Part Number:
SI4816DY-T1-GE3
Producent:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
78121 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
SI4816DY-T1-GE3.pdf

Wprowadzenie

SI4816DY-T1-GE3 najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem SI4816DY-T1-GE3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu SI4816DY-T1-GE3 pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Dostawca urządzeń Pakiet:8-SO
Seria:LITTLE FOOT®
RDS (Max) @ ID, Vgs:22 mOhm @ 6.3A, 10V
Moc - Max:1W, 1.25W
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:-
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:12nC @ 5V
Rodzaj FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Cecha FET:Logic Level Gate
Spust do źródła napięcia (Vdss):30V
szczegółowy opis:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.3A, 7.7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:5.3A, 7.7A
Podstawowy numer części:SI4816
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze