| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (maks.): | ±20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 6-TSOP |
| Seria: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 1.61 Ohm @ 900mA, 10V |
| Strata mocy (max): | 2W (Ta), 3.2W (Tc) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Inne nazwy: | SI3475DV-T1-E3TR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 500pF @ 50V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 200V |
| szczegółowy opis: | P-Channel 200V 950mA (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 950mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
