| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 50V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Typ tranzystora: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DFN1010B-6 |
| Seria: | - |
| Rezystor - podstawa nadajnika (R2): | 47 kOhms |
| Rezystor - Podstawa (R1): | 47 kOhms |
| Moc - Max: | 350mW |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 1727-1479-1 568-10950-1 568-10950-1-ND |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 230MHz, 180MHz |
| szczegółowy opis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 350mW Surface Mount DFN1010B-6 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 5V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 100nA (ICBO) |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
