polski
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
O nas | Skontaktuj się z nami | Poprosić o wycenę |
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NE3511S02-T1C-A
NE3511S02-T1C-A
NE3511S02-T1C-A
Part Number:
NE3511S02-T1C-A
Producent:
CEL (California Eastern Laboratories)
Opis:
IC AMP RF LNA 13.5DB S02
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
64308 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
NE3511S02-T1C-A.pdf
Zapytanie ofertowe

Wprowadzenie

NE3511S02-T1C-A najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem NE3511S02-T1C-A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu NE3511S02-T1C-A pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
Napięcie - Test:2V
Napięcie - znamionowe:4V
Typ tranzystora:HFET
Dostawca urządzeń Pakiet:S02
Seria:-
Moc - Wyjście:-
Opakowania:Original-Reel®
Package / Case:4-SMD, Flat Leads
Inne nazwy:NE3511S02-T1C-ADKR
noise Figure:0.3dB
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Zdobyć:13.5dB
Częstotliwość:12GHz
szczegółowy opis:RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
Aktualna ocena:70mA
Obecny - Test:10mA
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze

Podobne zamienne do NE3511S02-T1C-A

Obraz Part Number Producenci Opis Widok
NE3511S02-A Image NE3511S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 Zapytanie ofertowe
NE3514S02-T1C-A Image NE3514S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 10DB S02 Zapytanie ofertowe
NE3513M04-T2B-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD Zapytanie ofertowe
NE3508M04-A Image NE3508M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM Zapytanie ofertowe
NE3515S02-T1C-A Image NE3515S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 Zapytanie ofertowe
NE3512S02-T1C-A Image NE3512S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 Zapytanie ofertowe
NE3503M04-T2B-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 Zapytanie ofertowe
NE3503M04-T2-A Image NE3503M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 Zapytanie ofertowe
NE3509M04-A Image NE3509M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI Zapytanie ofertowe
NE3513M04-A Image NE3513M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD Zapytanie ofertowe
NE3509M04-T2-A Image NE3509M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 2GHZ SOT-343 Zapytanie ofertowe
NE3515S02-T1D-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 Zapytanie ofertowe
NE3510M04-T2-A Image NE3510M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 4GHZ M04 Zapytanie ofertowe
NE3513M04-T2-A Image NE3513M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD Zapytanie ofertowe
NE3510M04-A Image NE3510M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 4GHZ M04 Zapytanie ofertowe
NE3512S02-A Image NE3512S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 Zapytanie ofertowe
NE3515S02-A Image NE3515S02-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 Zapytanie ofertowe
NE3514S02-A Image NE3514S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 10DB S02 Zapytanie ofertowe
NE3508M04-T2-A Image NE3508M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM Zapytanie ofertowe
NE3503M04-A Image NE3503M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 Zapytanie ofertowe

Latest Aktualności