MURT10060
MURT10060
Part Number:
MURT10060
Producent:
GeneSiC Semiconductor
Opis:
DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
50242 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
1.MURT10060.pdf2.MURT10060.pdf

Wprowadzenie

MURT10060 najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem MURT10060, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu MURT10060 pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli:1.7V @ 100A
Napięcie - DC Rewers (VR) (maks):600V
Dostawca urządzeń Pakiet:Three Tower
Prędkość:Fast Recovery = 200mA (Io)
Seria:-
Odwrócona Recovery Time (TRR):75ns
Opakowania:Bulk
Package / Case:Three Tower
Inne nazwy:MURT10060GN
Temperatura pracy - złącze:-40°C ~ 175°C
Rodzaj mocowania:Chassis Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta:4 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Typ diody:Standard
Diode Configuration:-
szczegółowy opis:Diode Array Standard 600V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
Obecny - Reverse Przeciek @ Vr:25µA @ 50V
Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode):100A (DC)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze