polski
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
O nas | Skontaktuj się z nami | Poprosić o wycenę |
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
Part Number:
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
Producent:
Micron Technology
Opis:
IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
55945 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR.pdf
Zapytanie ofertowe

Wprowadzenie

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
Zapisać czas cyklu - słowo, strona:-
Napięcie - Dostawa:1.1V
Technologia:SDRAM - Mobile LPDDR4
Seria:-
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Inne nazwy:MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR-ND
MT53B512M64D4NH-062WTES:CTR
temperatura robocza:-30°C ~ 85°C (TC)
Poziom czułości na wilgoć (MSL):3 (168 Hours)
Typ pamięci:Volatile
Rozmiar pamięci:32Gb (512M x 64)
Interfejs pamięci:-
Format pamięci:DRAM
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
szczegółowy opis:SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1600MHz
Częstotliwość zegara:1600MHz
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze

Podobne zamienne do MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR

Obraz Part Number Producenci Opis Widok
MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M32D2NP-062 WT:D Micron Technology IC DRAM 16G 1600MHZ Zapytanie ofertowe
MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M64D4NK-053 WT:C Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M64D4NK-053 WT:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR Micron Technology IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M64D4NH-062 WT:C Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR Micron Technology IC DRAM 16G 1600MHZ Zapytanie ofertowe
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M32D2NP-062 WT:C Micron Technology IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA Zapytanie ofertowe
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Zapytanie ofertowe

Latest Aktualności