| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 84ns |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 3.6 V |
| Technologia: | DRAM |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 50-TSOP II |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Inne nazwy: | MD51V65165E-50TA03A7 MD51V65165E-50TA03A7-ND MD51V65165E-50TAZ MD51V65165E-50TAZ0AR-ND MD51V65165E50TAZ0AR |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 64Mb (4M x 16) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | DRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | DRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 25ns 50-TSOP II |
| Podstawowy numer części: | MD51V65165E |
| Czas dostępu: | 25ns |
| Email: | [email protected] |
