| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (maks.): | ±20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-257 |
| Seria: | Military, MIL-PRF-19500/614 |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 490 mOhm @ 9.4A, 12V |
| Strata mocy (max): | 2W (Ta), 75W (Tc) |
| Package / Case: | TO-257-3 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 50nC @ 12V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 12V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 200V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 200V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 9.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
