| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 8mA |
| Vgs (maks.): | ±20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | ISOPLUS247™ |
| Seria: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 17 mOhm @ 60A, 10V |
| Strata mocy (max): | 417W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | ISOPLUS247™ |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 9100pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 360nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 200V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 200V 105A (Tc) 417W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 105A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
