| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 700mV @ 250µA |
| Vgs (maks.): | ±10V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | D2PAK |
| Seria: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 7 mOhm @ 64A, 7V |
| Strata mocy (max): | 140W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Inne nazwy: | *IRL3502S |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 4700pF @ 15V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 110nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 7V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 20V 110A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 110A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
