| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | D-Pak |
| Seria: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 8.4 mOhm @ 15A, 10V |
| Strata mocy (max): | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 1190pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 20V 60A (Ta) Surface Mount D-Pak |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 60A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
