| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (maks.): | ±12V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Micro8™ |
| Seria: | FETKY™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Strata mocy (max): | 1.25W (Ta) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 1066pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 15nC @ 5V |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| Cecha FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | P-Channel 20V 4.3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™ |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 4.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
