| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (maks.): | ±12V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SO |
| Seria: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 13 mOhm @ 10A, 10V |
| Strata mocy (max): | 2.5W (Ta) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 3430pF @ 20V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 44nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 2.8V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 40V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 40V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
