| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SO |
| Seria: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 125 mOhm @ 1A, 10V |
| Moc - Max: | 2W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 300pF @ 15V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel |
| Cecha FET: | Standard |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3A, 2.5A 2W Surface Mount 8-SO |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 3A, 2.5A |
| Email: | [email protected] |
