| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (maks.): | ±20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220AB |
| Seria: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 60 mOhm @ 24A, 10V |
| Strata mocy (max): | 200W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Inne nazwy: | *IRF5210PBF SP001559642 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 2700pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 100V |
| szczegółowy opis: | P-Channel 100V 40A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
