IPB65R045C7ATMA1
IPB65R045C7ATMA1
Part Number:
IPB65R045C7ATMA1
Producent:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Opis:
MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
74117 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
IPB65R045C7ATMA1.pdf

Wprowadzenie

IPB65R045C7ATMA1 najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem IPB65R045C7ATMA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu IPB65R045C7ATMA1 pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1.25mA
Vgs (maks.):±20V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:D²PAK (TO-263AB)
Seria:CoolMOS™ C7
RDS (Max) @ ID, Vgs:45 mOhm @ 24.9A, 10V
Strata mocy (max):227W (Tc)
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Inne nazwy:IPB65R045C7ATMA1TR
SP000929420
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:4340pF @ 400V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:93nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):10V
Spust do źródła napięcia (Vdss):650V
szczegółowy opis:N-Channel 650V 46A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:46A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze