IPB60R099C6ATMA1
IPB60R099C6ATMA1
Part Number:
IPB60R099C6ATMA1
Producent:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Opis:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
65131 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
IPB60R099C6ATMA1.pdf

Wprowadzenie

IPB60R099C6ATMA1 najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem IPB60R099C6ATMA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu IPB60R099C6ATMA1 pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 1.21mA
Vgs (maks.):±20V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:D²PAK (TO-263AB)
Seria:CoolMOS™
RDS (Max) @ ID, Vgs:99 mOhm @ 18.1A, 10V
Strata mocy (max):278W (Tc)
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Inne nazwy:IPB60R099C6
IPB60R099C6-ND
IPB60R099C6ATMA1TR
IPB60R099C6TR-ND
SP000687468
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:2660pF @ 100V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:119nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):10V
Spust do źródła napięcia (Vdss):600V
szczegółowy opis:N-Channel 600V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:37.9A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze