| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 50V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Typ tranzystora: | PNP - Pre-Biased |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-92S |
| Seria: | - |
| Rezystor - podstawa nadajnika (R2): | 4.7 kOhms |
| Rezystor - Podstawa (R1): | 4.7 kOhms |
| Moc - Max: | 300mW |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 200MHz |
| szczegółowy opis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92S |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 20 @ 10mA, 5V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 100nA (ICBO) |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
