| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| Napięcie - Test: | 45pF @ 20V |
| Napięcie - Podział: | Die |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 125 mOhm @ 500mA, 5V |
| Technologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Seria: | eGaN® |
| Stan RoHS: | Tray |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 4.4A (Ta) |
| Polaryzacja: | Die |
| Inne nazwy: | 917-EPC8004ENGR EPC8004ENGA |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | EPC8004ENGR |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 0.36nC @ 5V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| Cecha FET: | N-Channel |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 40V 4.4A (Ta) Surface Mount Die |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | - |
| Opis: | TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 40V |
| Stosunek pojemności: | - |
| Email: | [email protected] |
