| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 9-BGA (1.35x1.35) |
| Seria: | eGaN® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V |
| Moc - Max: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 9-VFBGA |
| Inne nazwy: | 917-1169-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Rodzaj FET: | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Cecha FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 60V, 100V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 1.7A, 500mA |
| Email: | [email protected] |
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2106 | EPC | TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2107 | EPC | MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2104ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2111ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2111 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2105 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2801 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2202 | EPC | GANFET N-CH 80V 18A DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2112ENGRT | EPC | 200 V GAN IC FET DRIVER | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2115ENGRT | EPC | 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2104 | EPC | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2110 | EPC | MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2203 | EPC | GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR | Zapytanie ofertowe |