EMD12FHAT2R
EMD12FHAT2R
Part Number:
EMD12FHAT2R
Producent:
LAPIS Semiconductor
Opis:
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
49264 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
1.EMD12FHAT2R.pdf2.EMD12FHAT2R.pdf

Wprowadzenie

EMD12FHAT2R najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem EMD12FHAT2R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu EMD12FHAT2R pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
Napięcie - kolektor emiter (Max):-
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC:300mV @ 500µA, 10mA
Typ tranzystora:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Dostawca urządzeń Pakiet:EMT6
Seria:Automotive, AEC-Q101
Rezystor - podstawa nadajnika (R2):47 kOhms
Rezystor - Podstawa (R1):47 kOhms
Moc - Max:150mW
Opakowania:Cut Tape (CT)
Package / Case:SOT-563, SOT-666
Inne nazwy:EMD12FHAT2RCT
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta:7 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Częstotliwość - Transition:250MHz
szczegółowy opis:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce:68 @ 5mA, 5V
Obecny - Collector odcięcia (Max):-
Obecny - Collector (Ic) (maks):100mA
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze