| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 100ns |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 3.6 V |
| Technologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 256-BGA (27x27) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 256-BGA |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 4 (72 Hours) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 16Mb (2M x 8) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | NVSRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (2M x 8) Parallel 100ns 256-BGA (27x27) |
| Podstawowy numer części: | DS3070W |
| Czas dostępu: | 100ns |
| Email: | [email protected] |
