| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 100ns |
| Napięcie - Dostawa: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Technologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 40-EDIP |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 2Mb (128K x 16) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | NVSRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 100ns 40-EDIP |
| Podstawowy numer części: | DS1258AB |
| Czas dostępu: | 100ns |
| Email: | [email protected] |
