| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 250µA |
| Vgs (maks.): | ±20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PowerDI5060-8 |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 7.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Strata mocy (max): | 2.6W (Ta) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-PowerTDFN |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 24 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 6807pF @ 15V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 139nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 30V |
| szczegółowy opis: | P-Channel 30V 60A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
