| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (maks.): | -6V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 4-DSBGA (1x1) |
| Seria: | NexFET™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 82 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Strata mocy (max): | 1W (Ta) |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 4-UFBGA, DSBGA |
| Inne nazwy: | 296-24258-1 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 325pF @ 6V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 2.4nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 12V |
| szczegółowy opis: | P-Channel 12V 2.2A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 2.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
