| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 20µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-DSO-8 |
| Seria: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Moc - Max: | 2W |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | BSO615CXTINDKR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 22.5nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 60V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 3.1A, 2A |
| Podstawowy numer części: | BSO615 |
| Email: | [email protected] |
