Kongeriket
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Om oss | Kontakt oss | Etterspør et sitat |
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JAN1N6631US
JAN1N6631US
JAN1N6631US
Delenummer:
JAN1N6631US
Produsent:
Microsemi
Beskrivelse:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Inneholder bly / RoHS ikke-kompatibel
Mengde:
68333 Pieces
Leveringstid:
1-2 days
Dataark:
JAN1N6631US.pdf
Forespørsel

Introduksjon

JAN1N6631US best pris og rask levering.
BOSER Technology er distributør for JAN1N6631US, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid levering. Vennligst send oss ​​kjøpsplanen din for JAN1N6631US via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Vår e-post: [email protected]

spesifikasjoner

Tilstand New and Original
Opprinnelse Contact us
distributør Boser Technology
Spenning - Videresend (Vf) (Maks) @ Hvis:1.6V @ 1.4A
Spenning - DC-omvendt (Vr) (Maks):1100V
Leverandør Enhetspakke:D-5B
Hastighet:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/590
Omvendt gjenopprettingstid (trr):60ns
emballasje:Bulk
Pakke / tilfelle:E-MELF
Andre navn:1086-20001
1086-20001-MIL
Driftstemperatur - Kobling:-65°C ~ 150°C
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Diodetype:Standard
Detaljert beskrivelse:Diode Standard 1100V 1.4A Surface Mount D-5B
Strøm - Omvendt lekkasje @ Vr:4µA @ 1100V
Gjeldende - Gjennomsnittlig Rectified (Io):1.4A
Kapasitans @ Vr, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer

Beslektede deler til JAN1N6631US

Bilde Delenummer produsenter Beskrivelse Utsikt
JAN1N6629U Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF Forespørsel
JAN1N6638 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL Forespørsel
JAN1N6628US Image JAN1N6628US Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B Forespørsel
JAN1N6641 Microsemi DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL Forespørsel
JAN1N6640 Microsemi DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL Forespørsel
JAN1N6641US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF Forespørsel
JAN1N6642 Microsemi DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL Forespørsel
JAN1N6638U Microsemi DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF Forespørsel
JAN1N6631U Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF Forespørsel
JAN1N6628U Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF Forespørsel
JAN1N6639 Microsemi DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL Forespørsel
JAN1N6631 Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL Forespørsel
JAN1N6629 Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL Forespørsel
JAN1N6638US Microsemi DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF Forespørsel
JAN1N6640US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF Forespørsel
JAN1N6629US Image JAN1N6629US Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B Forespørsel
JAN1N6630US Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF Forespørsel
JAN1N6630 Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL Forespørsel
JAN1N6639US Microsemi DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF Forespørsel
JAN1N6630U Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF Forespørsel

Latest News