| Tilstand | New and Original |
|---|---|
| Opprinnelse | Contact us |
| distributør | Boser Technology |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4.5V @ 4mA |
| Vgs (maks): | ±30V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | TO-3P |
| Serie: | HiPerFET™ |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 73 mOhm @ 25A, 10V |
| Strømdissipasjon (maks): | 660W (Tc) |
| emballasje: | Tube |
| Pakke / tilfelle: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produsentens Standard Lead Time: | 24 Weeks |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 4660pF @ 25V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 116nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 10V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 600V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 600V 50A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
