| Tilstand | New and Original |
|---|---|
| Opprinnelse | Contact us |
| distributør | Boser Technology |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (maks): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | IPAK (TO-251) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 24.5 mOhm @ 18A, 10V |
| Strømdissipasjon (maks): | 48W (Tc) |
| emballasje: | Tube |
| Pakke / tilfelle: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Andre navn: | *IRFU4105ZPBF SP001552434 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 740pF @ 25V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 10V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 55V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 55V 30A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
