| Tilstand | New and Original |
|---|---|
| Opprinnelse | Contact us |
| distributør | Boser Technology |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4V @ 500µA |
| Vgs (maks): | +25V, -5V |
| Teknologi: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Leverandør Enhetspakke: | TO-247 |
| Serie: | Z-FET™ |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 220 mOhm @ 10A, 20V |
| Strømdissipasjon (maks): | 134W (Tc) |
| emballasje: | Tube |
| Pakke / tilfelle: | TO-247-3 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 135°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 928pF @ 800V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 47.1nC @ 20V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 20V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 1200V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 1200V 24A (Tc) 134W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
