TPC8111(TE12L,Q,M)
部品型番:
TPC8111(TE12L,Q,M)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
62653 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
1.TPC8111(TE12L,Q,M).pdf2.TPC8111(TE12L,Q,M).pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):2V @ 1mA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-SOP (5.5x6.0)
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):12 mOhm @ 5.5A, 10V
電力消費(最大):1W (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:5710pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:107nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:P-Channel 30V 11A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):11A (Ta)
Email:[email protected]

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