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TK33S10N1Z,LQ
部品型番:
TK33S10N1Z,LQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
64348 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
TK33S10N1Z,LQ.pdf
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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS（TH）（最大）:4V @ 500µA
Vgs（最大）:±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:DPAK+
シリーズ:U-MOSVIII-H
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:9.7 mOhm @ 16.5A, 10V
電力消費（最大）:125W (Tc)
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:TK33S10N1ZLQCT
運転温度:175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:2050pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:28nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:100V
詳細な説明:N-Channel 100V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:33A (Ta)
Email:[email protected]

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