TC58NYG2S0HBAI6
TC58NYG2S0HBAI6
部品型番:
TC58NYG2S0HBAI6
メーカー:
Toshiba Memory America, Inc.
説明:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
44082 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
TC58NYG2S0HBAI6.pdf

簡潔な

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:25ns
電源電圧 - :1.7 V ~ 1.95 V
技術:FLASH - NAND (SLC)
サプライヤデバイスパッケージ:67-VFBGA (6.5x8)
シリーズ:-
パッケージング:Tray
パッケージ/ケース:67-VFBGA
他の名前:TC58NYG2S0HBAI6JDH
TC58NYG2S0HBAI6YCL
運転温度:-40°C ~ 85°C (TA)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):3 (168 Hours)
メモリタイプ:Non-Volatile
記憶容量:4Gb (512M x 8)
メモリインタフェース:Parallel
メモリ形式:FLASH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
アクセス時間:25ns
Email:[email protected]

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