STB120N4LF6
STB120N4LF6
部品型番:
STB120N4LF6
メーカー:
STMicroelectronics
説明:
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
66362 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
STB120N4LF6.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:D2PAK
シリーズ:Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):4 mOhm @ 40A, 10V
電力消費(最大):110W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:497-11096-2
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:38 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:4300pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:80nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:40V
詳細な説明:N-Channel 40V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):80A (Tc)
Email:[email protected]

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