SQJB40EP-T1_GE3
SQJB40EP-T1_GE3
部品型番:
SQJB40EP-T1_GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
71787 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SQJB40EP-T1_GE3.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:PowerPAK® SO-8 Dual
シリーズ:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):8 mOhm @ 8A, 10V
電力 - 最大:34W
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:PowerPAK® SO-8 Dual
他の名前:SQJB40EP-T1_GE3DKR
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1900pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:35nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Standard
ソース電圧(VDSS)にドレイン:40V
詳細な説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):30A (Tc)
Email:[email protected]

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