SIZ988DT-T1-GE3
部品型番:
SIZ988DT-T1-GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
数量:
52961 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SIZ988DT-T1-GE3.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-PowerPair®
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V
電力 - 最大:20.2W, 40W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerWDFN
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
メーカーの標準リードタイム:22 Weeks
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Standard
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair®
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):40A (Tc), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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