SI8900EDB-T2-E1最高の価格と速い配達。
BOSER Technology SI8900EDB-T2-E1のディストリビューターは、私達に即時出荷のための在庫があり、また長い時間の供給のために利用できます。電子メールで私達にSI8900EDB-T2-E1のあなたの購入計画を送ってください、私達はあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。私達のEメール：[email protected]
SI8900EDB-T2-E1
- 部品型番:
- SI8900EDB-T2-E1
- 説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 75012 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- SI8900EDB-T2-E1.pdf
簡潔な
私達のEメール：[email protected]
規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 1V @ 1.1mA |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | - |
| 電力 - 最大: | 1W |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 10-UFBGA, CSPBGA |
| 他の名前: | SI8900EDB-T2-E1TR |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 13 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | - |
| FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET特長: | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 20V |
| 詳細な説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 1W Surface Mount 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 5.4A |
| ベース部品番号: | SI8900 |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのSI8900EDB-T2-E1
最新ニュース
- Vishayは、VCSELに基づいて新しい高性能反射光センサーを発売しました
- なぜ小さな充電ICの切り株アップル、ハウエイ、サムスン？
- 半導体産業への電子材料の重要性
- カーボンベースの半導体はどのように破断しますか？
- グローバルエレクトロニクスサプライチェーンにおける中国の重要な役割
- 500億元！ Ziguangの株式を取得するというアリババの意思の露出
- 国内の高電圧および大容量圧着IGBTチップとデバイスを開発しました
- 国内の半導体IPはターニングポイントで推定されている、長所技術の分析と機会の分析
- Huawei Hubbleは大きく投資します：半導体産業に密接に焦点を当てて
- 包装とテスト、MOSFETは20％急上昇しました！
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 新しいFabの波が再表示され、半導体機器のブームが続く