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SI7964DP-T1-GE3
- 部品型番:
- SI7964DP-T1-GE3
- 説明:
- MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 70712 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- SI7964DP-T1-GE3.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4.5V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 23 mOhm @ 9.6A, 10V |
| 電力 - 最大: | 1.4W |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 65nC @ 10V |
| FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特長: | Standard |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 60V |
| 詳細な説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 6.1A |
| ベース部品番号: | SI7964 |
| Email: | [email protected] |
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