SI1024X-T1-GE3
SI1024X-T1-GE3
部品型番:
SI1024X-T1-GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
27657 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SI1024X-T1-GE3.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):900mV @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:SC-89-6
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):700 mOhm @ 600mA, 4.5V
電力 - 最大:250mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
他の名前:SI1024X-T1-GE3TR
SI1024XT1GE3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:33 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:-
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:0.75nC @ 4.5V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
詳細な説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 485mA 250mW Surface Mount SC-89-6
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):485mA
ベース部品番号:SI1024
Email:[email protected]

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