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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.1V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | DFN1006B-3 |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 2.8 Ohm @ 200mA, 10V |
電力消費(最大): | 350mW (Ta), 3.1W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 3-XFDFN |
他の名前: | 1727-2231-2 568-12499-2 568-12499-2-ND 934068618315 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 23.6pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 1nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 60V |
詳細な説明: | N-Channel 60V 350mA (Ta) 350mW (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 350mA (Ta) |
Email: | [email protected] |